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FF200

發布時間:2019/8/29 10:55:00 訪問次數:54發布企業:深圳市明烽威電子有限公司

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FF200R12KT4

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FF200R12KT4中文資料
功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual

集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄

電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝/箱體:34MM
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 320 A
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代碼: 8541290095
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件號別名: FF200R12KT4
單位重量: 340 g
半導體 分立半導體 晶體管 IGBT 模塊 Infineon Technologies FF200R12KT4
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