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STD25NF10LT4

发布时间:2019/8/28 19:53:00 访问?#38382;?49发?#35745;?#19994;:西旗科技(深圳)有限公司





描述:STD25NF10LT4
N通道100 V,典型30mΩ,25 A,STripFET™II功率MOSFET
在DPAK封装中
此功率MOSFET系列是使用意法半导体的独特产品开发的STripFET™工艺,专门设计用于最小化输入电容和门控费。 这使得该设备适合用作主开关适用于电信和计算机的高级高效隔离式DC-DC转换器应用,以及低栅极电荷驱动要求的应用。


特征:STD25NF10LT4
类型VDS RDS(on)max。 ID
STD25NF10LT4 100 V 35兆欧25 A
•出色的dv / dt功能
•经过100%雪崩测试
•低栅极电荷


应用:STD25NF10LT4
•切换应用


制造商:STD25NF10LT4
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
25 A
Rds On-漏源导通电阻:
30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
16 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
100 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
2.4 mm
长度:
6.6 mm
系列:
STD25NF10L
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
6.2 mm
商标:
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值:
24 S
下降时间:
20 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
40 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
58 ns
典型接通延迟时间:
20 ns
单位重量:
4 g

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