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ADRF5019(CMOS)兼容和(LVTTL)兼容控制RF端口

發布時間:2019/8/28 14:14:40 訪問次數:2044

adrf5019

硅,spdt開關,非反射,100 mhz至13 ghz


51電子網公益庫存:
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DM9161AEP
PA4201DN-T7
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6N137
TMS9995NL
TMS9902ANL
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NJM3772D2
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UC3709N
TC4584BP
LF412CN
LM361N









adrf5019

是一款采用硅工藝制造的非反射型單刀雙擲(spdt)rf開關。

adrf5019的工作頻率范圍為100 mhz至13 ghz,插入損耗優于0.8 db,8 ghz時隔離度優于45 db。 adrf5019采用非反射設計,rf端口內部端接至50ω。

adrf5019開關需要+3.3 v和-2.5 v的雙電源電壓以及正控制電壓輸入。該開關采用互補金屬氧化物半導體(cmos)兼容和低壓晶體管晶體管邏輯(lvttl)兼容控制。

adrf5019還可以在施加單個正電源電壓(vdd)的情況下工作。負電源電壓(vss)接地。即使在單電源工作模式下,adrf5019也可以覆蓋100 mhz至13 ghz的工作頻率,并保持良好的功率處理性能。

adrf5019與hmc1118引腳兼容,hmc1118是低頻截止版本,工作頻率范圍為9 khz至13.0 ghz。

adrf5019采用16引腳引腳架構芯片級封裝(lfcsp),工作溫度范圍為-40°c至+ 105°c。












應用

測試儀器

微波無線電和極小孔徑終端(vsat)

軍用無線電,雷達和電子對抗措施(ecms

光纖和寬帶電信

adrf5019


優勢:

非反射50ω設計

低插入損耗:8 ghz時為0.8 db

高隔離度:8 ghz時為45 db

高輸入線性度

p1db:39 dbm

ip3:典型值為60 dbm

高功率處理

35 dbm插入損耗路徑

27 dbm熱切換

特點:

esd額定值:2 kv(2級)hbm

沒有低頻雜散

0.05 db rf建立時間:375 ns

0.1 db rf建立時間:300 ns

16引腳,3 mm×3 mm lfcsp

與hmc1118引腳兼容

(素材來源:analog.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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