• IC/元器件
  • 求購信息
  • 技術資料
  • 電子資訊
當前位置:51電子網 » 電子元器件庫 » 集成電路 » 集成電路

WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC

WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC產品圖片
  • 發布時間:2020/1/11 16:01:48
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市鼎芯聯科技有限公司
  • 聯 系 人:蔡小姐Q:354227952
  • WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC供應商

WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC屬性

  • 手機,相機,通訊設備
  • DFN
  • 韋爾willsemi

WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC描述

WL2820D系列是一種高精度、低噪音、高速度、低輟學CMOS線性穩壓器
  高紋波抑制。的設備提供了一個新的水平
  成本有效的性能在手機,筆記本電腦
  和筆記本電腦,和其他便攜設備。WL2820D向后折疊最大輸出
  依賴于輸出電壓的電流。因此,
  電流限制功能都作為短路保護
  作為一個輸出電流限制器。WL2820D監管機構提供的標準
  DFN1x1-4L包。標準產品Pb-free
  和無鹵
代理韋爾原裝原廠超低價優勢現貨只有原裝原廠技術支持13530589481


WL2820D33-4/TR線性穩壓器IC相關產品

WNM2077-3/TR 功率MOSFET
  WNM2077 n溝道增強金屬氧化物半導體    場效應晶體管。使用先進的溝    技術和設計提供優秀的RDS(上)  &nb
WPM2015-3/TR
WPM2015 p溝道增強金屬氧化物半導體    場效應晶體管。使用先進的溝    技術和設計提供優秀的RDS(上)    較低的
WPM2031-3/TR
 WPM2031 p溝道增強金屬氧化物半導體    場效應晶體管。使用先進的溝    技術和設計提供優秀的RDS(上)    較低
WNM2046-3/TR 韋爾晶體管
 WNM2046 n溝道增強金屬氧化物半導體    場效應晶體管。使用先進的溝    技術和設計提供優秀的RDS(上)    較低
WNM2020-3/TR小信號MOSFET
2020溝道增強金屬氧化物半導體場效應晶體管使用先進的溝技術和設計提供優秀的上較低的
WPM2019-3/TR場效應晶體管芯片
2019溝道增強金屬氧化物半導體場效應晶體管使用先進的溝技術和設計提供優秀的上較低的
WNM2016-3/TR
2016溝道增強金屬氧化物半導體場效應晶體管使用先進的溝技術和設計提供優秀的上較低的
SGM2040-3.3YN5G/TR
型號2040335封裝235最小包裝3000圣邦微全系列優勢現貨445991649171666036660350666056
聯系方式
  • 聯系人:蔡小姐Q:354227952
  • 地 址:國利大廈B座13層1339-1341室(只有原裝,可開13%增值稅票)
  • 郵 編:518000
  • 電 話:086-0755-82701660
  • 傳 真:--
  • 郵 箱:[email protected]
  • Q Q:QQ:354227952



燃烧的慾望怎么玩
电玩千炮捕鱼游戏下载 股票新手 快3开奖结果走势图 富贵王国 老快3开奖结 广东了36选7开奖 哈灵浙江麻将安卓版 福建十一选五爱采乐 快中彩开奖号码 国新能源股票趋势 幸运赛车冠军选号技巧 甘肃快3昨天开奖果 辽宁11选5投注网站 攀枝花麻将app在哪里下载 打字赚钱软件 22选5基本走势图表图